商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 1.2kV
连续漏极电流(Id) 65A
功率(Pd) 429W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@40A,12V
阈值电压(Vgs(th)@Id) 6V@10mA
栅极电荷(Qg@Vgs) 51nC@15V
输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@100V
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)