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FIDO1100BGB208IR1

CPU系列中央处理器32最大时钟频率 66兆赫DAC通道不DMA通道是外部数据总线宽度 16格式不动点集成缓存不JESD-30代码南PBGA-B208长度 15毫米低功耗模式是DMA通道数量 2输入/输出线的数量 52终端数量 208计时器数量 2片内数据RAM宽度 32片内程序ROM宽度 8

2024 - 05 - 14
ADUC845BCPZ62-5

• 高分辨率Σ-Δ型ADC• 2个独立24位ADC• 所有器件上最多支持10个ADC输入通道• 24位无失码• 22位均方根（19.5位峰-峰值）有效分辨率• 失调漂移10 nV/°C，增益漂移0.5 ppm/°C斩波使能• 存储器• 62 kB片内Flash/EE程序存储器• 4 kB片内Flash/EE数据存储器• Flash/EE，保持时间：100年，耐久性为10万个周期• 3级Flash/EE程序存储器安全• 在线串行下载（无需外部硬件）• 高速用户下载（5秒）• 2304字节片内数据RAM

2024 - 05 - 14
ADUCM410BBCZ

• 模拟输入/输出• 多通道，16-位，2 MSPS ADC• 高达 16 个外部通道• 片内裸片温度监视器• 4 个电源监视器通道• 4 个支持电压和电流测量的 PGA/TIA 通道• 差分和单端模式• 0 V 至 VREF 模拟输入范围• 12 位电压输出 DACs• 8× 0 V 至 2.5 V， 1 kΩ 加载• 4× 0 V 至 2.5 V， 2.5 kΩ 加载• 片内低漂移 1.2 V 或 2.5 V 基准电压源• 缓冲 1.25 V 或 2.5 V 输出• 4 个电压比较器• 微控制器• 32 位 Arm Cortex-M33 内核，32 位 RISC 架构，FPU• 串行线端口支持数字码下载和调试• 存储器• 2× 512 kB 独立闪存/EE 存储器• 10,000 次循环闪存/EE 耐久性• 10 年闪存/EE 保留 (Tj=125C)• 20 年闪存/EE 保留 (Tj=85C)• 具有 ECC 的 128 kB SRAM• 软件触发，通过 MDIO 或 I2C 进行电路内可重编程• 时钟选项：• 16 MHz 片内振荡器• 具有可编程分频器的 160 MHz PLL 输出• 外部时钟脉冲源

2024 - 05 - 14
ADUCM410BBCZ-RL7

ADuCM410 是一款完全集成的单封装套件，包括高性能模拟外设套件和数字外设套件（由 160MHz Arm® Cortex™-M33 处理器控制）以及用于数字码和数据的集成闪存。ADuCM410 上的模数转换器 (ADC) 使用多达 16 个输入引脚提供 16 位、2 MSPS 数据采集，这些引脚可通过可编程增益放大器 (PGA) 或互阻抗放大器 (TIA) 进行编程，用于电压和电流测量，从而实现单端或差分操作。此外，还可以测量裸片温度和电源电压。ADC 输入电压范围为 0 V 至 VREF。提供了一种时序控制器，使用户可以选择一组要按时序测量的 ADC 通道，而无需在时序期间进行软件干预。该时序可以选择性地以用户可选择的速率自动重复。多达 12 个通道的 12 位电压数模转换器 (VDAC) 提供了支持输出的缓冲区。ADuCM410 可进行配置，以便数字和模拟输出通过看门狗或软件复位时序保持其输出电压。因此，即使在 ADuCM410 自行复位时，产品也可以保持功能。ADuCM410 具有低功耗 ARM Cortex-M33 处理器和 32 位精简指令集计算机 (RISC) 机器，通过浮点单元 (FPU) 提供高达 240 MIPS 的峰值性能。还集成了 2× 512 kB 闪存/EE 存储器和128 kB 静态随机存取存储器 (SRAM)—两者都具有单比特错误校正 (SEC) 和双比特错误检测 (DED)、错误检查和纠正 (ECC)。闪存包含两个独立的 512 kB 模块支持一个闪存模块执行程序，同时另一个闪存模块进行写入/擦除操作。ADuCM410 采用片内振荡器工作，锁相环频率为 160 MHz。该时钟可以选择性地进行分频，以降低功耗。可以通过 ADuCM410 软件设置其他低功耗模式。该套件包括一个管理数据输入/输出 (MDIO) 接口，能够以高达 10 MHz 的频率运行。通过合并物理地址 (PHYADR) 和设备地址 (DEVAD) 硬件比较器，可以简化用户编程。不可擦除内核数字码与用户闪存中的标志相结合，使用户数字码在两个独立的硬件闪存块之间可靠地切换。

2024 - 05 - 14
ADUC848BSZ62-5

• 高分辨率Σ-Δ型ADC• ADuC845上提供2个独立的24位ADC• 单通道16位ADC• 所有器件上最多支持10个ADC输入通道• 24位无失码• 22位均方根（19.5位峰-峰值）有效分辨率• 失调漂移10 nV/°C，增益漂移0.5 ppm/°C斩波使能• 存储器• 62 kB片内Flash/EE程序存储器• 4 kB片内Flash/EE数据存储器• Flash/EE，保持时间：100年，耐久性为10万个周期• 3级Flash/EE程序存储器安全• 在线串行下载（无需外部硬件）• 高速用户下载（5秒）• 2304字节片内数据RAM

2024 - 05 - 14
MAX32690GTK+

MAX32690 微控制器 (MCU) 是一款片内系统 (SoC)，具有 Arm® Cortex®-M4F CPU、大容量闪存和 SRAM 存储器以及最新一代 Bluetooth® 5.2 低功耗 (LE) 射频。该套件将处理能力与物联网应用程序所需的连接性结合在一起。MAX32690 能够在 -40°C 至 +105°C 的温度范围内工作，非常适合工业环境。所有套件均采用 68 TQFN-EP 0.40 毫米间距和 140 焊球 WLP 0.35 毫米间距封装。蓝牙 5.2 低功耗 (LE) 射频支持 Mesh、到达角 (AoA) 和出发角 (AoD)，用于测向、远程（编码）和高吞吐量模式。单独提供使用软件编解码器的 LE 音频硬件。RISC-V 内核可选择处理时序关键型控制器任务，使程序员无需担心蓝牙 LE 中断延迟问题。加密工具箱 (CTB) 提供高级安全功能，包括用于快速椭圆曲线数字签名算法 (ECDSA) 的 MAA、高级加密标准 (AES) 引擎、TRNG、SHA-256 哈希和安全引导加载程序。内部代码和 SRAM 空间可以通过两个四通道 SPI 就地执行（SPIXF 和 SPIXR）接口在片外扩展，每个接口的容量高达 512MB。该套件支持许多高速接口，包括多个 QSPI、UART、CAN 2.0B 和 I2C 串行接口，以及一个用于连接音频编解码器的 I2S 端口。所有接口都支持外设和存储器之间高效的直接存储访问驱动传输。12 输入（8 个外部）、12 位 SAR ADC 以高达 1Msps 的速率对模拟数据进行采样。

2024 - 05 - 14

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