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2N6661

2N66612N6661

2022 - 09 - 09
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

2022 - 11 - 24
UF3C065080K4S

商品目录场效应管(MOSFET) 类型 N沟道漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id) 31A 功率(Pd) 190W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@20A,12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 6V@10mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 43nC@12V 输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@100V 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

2024 - 04 - 15
UJ3C120040K3S

商品目录场效应管(MOSFET) 类型 N沟道漏源电压(Vdss) 1.2kV 连续漏极电流(Id) 65A 功率(Pd) 429W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@40A,12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 6V@10mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 51nC@15V 输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@100V 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

2024 - 04 - 15
UF3C120080K3S

商品目录场效应管(MOSFET)类型N沟道漏源电压(Vdss)1.2kV连续漏极电流(Id)33A功率(Pd)254.2W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@20A,12V阈值电压(Vgs(th)@Id)6V@10mA栅极电荷(Qg@Vgs)51nC@15V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

2024 - 04 - 15
TAV1-331NM+

超低噪声D-PHEMT晶体管10 MHz至4 GHz封装引线框中没有含铁材料低噪声系数，典型值。0.5分贝高增益，典型。24.2分贝高输出IP3，典型+31.7 dBm低电流，60mA

2024 - 01 - 03

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