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2N6661

2N66612N6661

2022 - 09 - 09
NE3510M04-T2-A

NE3510M04-T2-A

2022 - 11 - 24
BSZ0506NSATMA1

BSZ0506NSATMA1晶体管技术:Si安装风格:SMD/SMT晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 ARds On-漏源导通电阻:4.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:11 nC最小工作温度:- 55 ℃最大工作温度:+ 150 ℃Pd-功率耗散:27 W通道模式:Enhancement配置:Single下降时间:2 ns正向跨导 - 最小值:49 S产品类型:MOSFETs上升时间:2.4 ns系列:OptiMOS 5晶体管类型:1 N-Channel典型关闭延迟时间:13 ns典型接通延迟时间:2.3 ns单位重量:112.430 mg

2026 - 04 - 20
2N2905A

集电极电流-最大值（IC） 0.6安集电极-基极电容-最大 8 pF集电极-发射极电压-最大 60伏配置单一的DC最小电流增益（hFE） 100JEDEC-95代码 TO-5JESD-30代码 O-MBCY-W3元素数量一终端数量 3最高工作温度 175摄氏度

2024 - 05 - 16
UF3C065080K4S

商品目录场效应管(MOSFET) 类型 N沟道漏源电压(Vdss) 650V 连续漏极电流(Id) 31A 功率(Pd) 190W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 100mΩ@20A,12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 6V@10mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 43nC@12V 输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@100V 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

2024 - 04 - 15
UJ3C120040K3S

商品目录场效应管(MOSFET) 类型 N沟道漏源电压(Vdss) 1.2kV 连续漏极电流(Id) 65A 功率(Pd) 429W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@40A,12V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 6V@10mA 栅极电荷(Qg@Vgs) 51nC@15V 输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@100V 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

2024 - 04 - 15

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