前端模块_前端模块厂家_型号品牌_参数价格-兆亿微波商城

主页

默认

销量

价格

新品

颜色模块模块

全部黑色 Analog Raditek Arra Jfwindustries RF-Lambda Optelit Guerrilla RF NoiseWave Nardamiteq Mcli Sagemillimeter PASTERNACK Skyworks NXP Qorvo Würth Elektronik Psemi Maxim

TSL8329M-EVB-C RX-LG

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-C是一款专门针对2000 MHz~4000 MHz频率范围应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14
TSL8329M-EVB-C RX-HG

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-C是一款专门针对2000 MHz~4000 MHz频率范围应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14
TSL8329M-EVB-C TX

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-C是一款专门针对2000 MHz~4000 MHz频率范围应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14
TSL8329M-EVB-B RX-LG

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-B是一款专门针对2900 MHz至3300 MHz频率范围的应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14
TSL8329M-EVB-B RX-HG

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-B是一款专门针对2900 MHz至3300 MHz频率范围的应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14
TSL8329M-EVB-B TX

TSL8329M是一款双通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2.0 GHz至4.2 GHz。TSL8329M配置为双通道，具有级联的两级LNA和高GaN基SPDT开关。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1 dB的低噪声系数和32 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为35 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在45mA的较低电流下提供13dB的增益。在断电模式下，LNA关闭，设备消耗5 mA。在发射操作中，当RF输入连接到终端引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，开关在3.6 GHz下提供0.45 dB的低插入损耗，并处理43 dBm的长期演进（LTE）平均功率（9 dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。该设备采用符合RoHS标准的紧凑型6毫米×6毫米40针QFN。TSL8329M-EVB-B是一款专门针对2900 MHz至3300 MHz频率范围的应用进行调谐的评估板。它在无线基础设施、TDD大规模多输入多输出、有源天线系统、基于TDD的通信系统等领域的应用。

2024 - 10 - 14

Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司

京ICP备2020039586号