MRFX1K80NR5
分类 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V状态 Active频率(最小) (MHz) 1.8频率(最大) (MHz) 400电源电压(典型值)(V) 651dB压缩点(典型值)(dBm) 62.61dB压缩点(典型值) (W) 1800测试信号互调电平时的输出功率(典型值) 测试信号 Pulse功率增益(类型)(db)@ f(MHz) 24.4 @ 230效率(典型值)(%) 75.7热阻(规格)(℃/W) 0.06匹配 unmatched种类 AB模具技术 LDMOS应用 射频广播和ISM
2019
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