光电耦合器
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OLH6000 / OLH6001
描述 施密特触发器光耦合器条件Threshold Current IF @ VCC = 15 V中频最小值—中频最大值10耐压(V)—电源电压最大值(V)18传播延迟300ns Max.绝缘3 Sec.1500包装图片包装信息8-Lead Hermetic Dip无铅绿色
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OLI600
描述 施密特触发器光耦合器条件Threshold Current IF @ VCC = 15 V中频最小值—中频最大值10耐压(V)—电源电压最大值(V)18传播延迟300ns Max.绝缘2 Sec.1500包装图片包装信息6-Lead Ceramic Carrier Chip for Hybrid Assembly无铅绿色
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OLS600
描述 施密特触发器光耦合器条件Threshold Current IF @ VCC = 15 V中频最小值—中频最大值10耐压(V)—电源电压最大值(V)18传播延迟300ns Max.绝缘1 Sec.1500包装图片包装信息6-Lead Hermetic Ceramic LCC无铅绿色
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4N47 / 4N48 / 4N49
描述 光晶体管光耦合器内存条件TBDCTR最小值TBDCTR最大值TBD电压(V)TBD电源电压最大值(V)TBD配电时间(μs)TBD绝缘22 Sec.TBD包装照片包装信息6-Lead Hermetic TO-5辐射力无基础关系无铅
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MCT4 / MCT4R
描述 光晶体管光耦合器内存条件TBDCTR最小值TBDCTR最大值TBD电压(V)TBD电源电压最大值(V)TBD配电时间(μs)TBD绝缘21 Sec.TBD包装照片包装信息Standard TO–72 hermetic package辐射力无基础关系无铅
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OLF100
描述 光晶体管光耦合器内存条件TBDCTR最小值TBDCTR最大值TBD电压(V)TBD电源电压最大值(V)TBD配电时间(μs)TBD绝缘20 Sec.TBD包装照片包装信息8-Lead Hermetic Ceramic Flat辐射力无基础关系无铅
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