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TT2-101
强制力 Hc(oe) (Nom)5.7居里温度Tc( C)(Nom)585介电常数E’13.0 ± 5%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)17landég-factor g-eff(名称)2.19线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1853饱和磁化强度4π毫秒3000 ± 5%自旋波线宽δHkoe (Nom)12.4无铅
2019
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09
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03
TT2-102
强制力 Hc(oe) (Nom)4.42居里温度Tc( C)(Nom)570介电常数E’12.7 ± 5%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)23landég-factor g-eff(名称)2.25线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1485饱和磁化强度4π毫秒2500 ± 5%自旋波线宽δHkoe (Nom)6.9无铅
2019
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09
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03
TT2-111
强制力 Hc(oe) (Nom)0.96居里温度Tc( C)(Nom)375介电常数E’12.9 ± 6.8%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)317landég-factor g-eff(名称)2.11线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1956饱和磁化强度4π毫秒5000 ± 10%自旋波线宽δHkoe (Nom)6无铅
2019
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09
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03
TT2-125
强制力 Hc(oe) (Nom)4.42居里温度Tc( C)(Nom)560介电常数E’12.6 ± 5%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)26landég-factor g-eff(名称)2.3线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1426饱和磁化强度4π毫秒2100 ± 5%自旋波线宽δHkoe (Nom)6.1无铅
2019
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09
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03
TT2-2750
强制力 Hc(oe) (Nom)3居里温度Tc( C)(Nom)580介电常数E’12.8 ± 5%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)20landég-factor g-eff(名称)2.2线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1130饱和磁化强度4π毫秒2750 ± 5%自旋波线宽δHkoe (Nom)9无铅
2019
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09
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03
TT2-3500
强制力 Hc(oe) (Nom)2.4居里温度Tc( C)(Nom)540介电常数E’12.8 ± 5%介电损耗正切Tan=E''/E '初始渗透率μo (Nom)50landég-factor g-eff(名称)2.1线宽δH oe @ -3dBbr(gauss)诱导馀数(Nom)1260饱和磁化强度4π毫秒3500 ± 5%自旋波线宽δHkoe (Nom)9无铅
2019
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