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全部黑色 ECM

RFGB.CP.UD.B.30

GaN类型 GaN体模板行无掺杂(N-)基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 0.5厚度变化(±μm) 25

2019 - 08 - 09
RFGB.CP.UD.B.18

GaN类型 GaN体模板行无掺杂(N-)基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 0.5厚度变化(±μm) 10

2019 - 08 - 09
RFGB.CP.UD.B.10

GaN类型 GaN体模板行无掺杂(N-)基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 0.5厚度变化(±μm) 5

2019 - 08 - 09
RFGB.CP.SEMI.B.30

GaN类型 GaN体模板行半绝缘基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 109-1012厚度变化(±μm) 25

2019 - 08 - 09
RFGB.CP.SEMI.B.18

GaN类型 GaN体模板行半绝缘基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 109-1012厚度变化(±μm) 10

2019 - 08 - 09
RFGB.CP.SEMI.B.10

GaN类型 GaN体模板行半绝缘基底直径 N/A厚度(μm) 430Marcodefect 密度电阻率(Ω·cm) 109-1012厚度变化(±μm) 5

2019 - 08 - 09

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